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IGS ALD26系列膜片阀
IGS ALD26系列膜片阀
ALD26 系列膜片阀严格按照 SEMI 要求制造，在百级无尘室组装测试包装，适用于半导体行业的原子层沉积工艺。
优势特点
适用于半导体行业超高纯应用
高速气动执行器，响应时间 ≤5ms
流量调节装置保证阀门间精确一致的 Cv
可带电磁导阀或带光学位置传感器和放大器
100% 氦检漏测试
工作压力: 真空至150 psi
驱动压力: 50 ~ 90 psi
入口连接: M5 (F)
工作状态: 常闭
湿润表面: Ra 5 μin
产品尺寸图
产品尺寸图
附件技术信息
附件技术信息
进出气口示意图
进出气口示意图
订购指南
EX: SLVV
母体材质		 - ALD26
系列号		 T
介质温度		 - 11C2
连接样式		 - IS
选项		 - S1
工艺规范
SLV: 316L VAR
SLVV: 316L VIM VAR
 ALD26
 无: 标准型
T: 耐热型
 11C2: 1.125"C-Seal,两孔
11C3: 1.125"C-Seal,三孔
11W2: 1.125"W-Seal,两孔
11W3: 1.125"W-Seal,三孔
……
其他形式接头可供选择
 IS: 带光学位置传感器+放大器
（光学位置传感器需与放大器配套使用）
IV: 带电磁导阀
 S1: 超高纯工艺
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3D
2D/3D 资料下载
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